国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“改善AIO刻蚀产品间沟槽底部层间膜厚度稳定性方法”的专利，公开号CN121985797A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明公开了一种改善AIO刻蚀产品间沟槽底部层间膜厚度稳定性方法，包括：进行批次内晶圆间膜厚改善工艺。批次内晶圆间膜厚改善工艺包括：将一批次的晶圆依次在刻蚀腔中进行AIO刻蚀。在各晶圆的AIO刻蚀过程中实时监测刻蚀腔中的副产物并形成副产物的第一监测数据。当前的晶圆的AIO刻蚀完成后，根据第一监测数据对WAC条件进行优化，之后根据优化后的WAC条件对刻蚀腔进行WAC。之后，进行下一片的晶圆的AIO刻蚀。本发明能改善AIO刻蚀产品的沟槽底部层间膜厚度的稳定性。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2081次，专利信息2754条，此外企业还拥有行政许可400个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
官网股票配资提示：文章来自网络，不代表本站观点。
相关文章
热点资讯
